Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 630 mA -20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, BSS AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.536,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.920,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,512Kr. 1.536,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
250-0553
Producentens varenummer:
BSS209PWH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

630mA

Drain source spænding maks. Vds

-20V

Emballagetype

SOT-323

Serie

BSS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

550mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

+150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon gør P-kanal med optimeret mode-transistor udbredt i anvendelser med højt switching. Den er lavine-klassificeret og halogenfri. Denne enhed er OptiMOS-P småsignal-transistor med superlogikniveau på 2,5 V (nominel). Driftstemperaturen er 150 grader C. Det er lavine- og dv/dt-klassificeret. Den er blyfri med blybelægning, halogenfri.

VDS er -20 V, RDS(on), maks. 550 mΩ og ID er -0,63 A.

Maks. effekttab er 500mW

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.