Infineon N-Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*

Kr. 3.900,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.860,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 45.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,30Kr. 3.900,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
250-0548
Producentens varenummer:
BSS159NH6906XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

300mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Serie

BSS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon gør N-kanals nedbrydningstilstand MOSFET-transistor med lille signal udbredt til anvendelser med højt switching. Den er lavine-klassificeret og halogenfri. Det er SIPMOS småsignal-transistor. Den er dv/dt-normeret og fås med V GS(th)-indikator på hjul. Den er 100% blyfri; Halogenfri.

VDS er 60 V, RDS(on), maks. 8 Ω og IDSS, min er 0,13 A.

Maks. effekttab er 360 mW

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.