Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.3 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 250-0549
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-499
- Producentens varenummer:
- BSS159NH6906XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 38,67
(ekskl. moms)
Kr. 48,34
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 47.360 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 7,734 | Kr. 38,67 |
| 50 - 120 | Kr. 6,672 | Kr. 33,36 |
| 125 - 245 | Kr. 6,284 | Kr. 31,42 |
| 250 - 495 | Kr. 5,834 | Kr. 29,17 |
| 500 + | Kr. 5,386 | Kr. 26,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0549
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-499
- Producentens varenummer:
- BSS159NH6906XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | BSS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie BSS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon gør N-kanals nedbrydningstilstand MOSFET-transistor med lille signal udbredt til anvendelser med højt switching. Den er lavine-klassificeret og halogenfri. Det er SIPMOS småsignal-transistor. Den er dv/dt-normeret og fås med V GS(th)-indikator på hjul. Den er 100% blyfri; Halogenfri.
VDS er 60 V, RDS(on), maks. 8 Ω og IDSS, min er 0,13 A.
Maks. effekttab er 360 mW
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 0.3 A 60 V Forbedring SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 0.54 A 55 V Forbedring SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 0.23 A 30 V Forbedring SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 0.15 A 30 V Forbedring SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 0.1 A 250 V Udtømning SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 0.9 A 100 V Udtømning SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 0.09 A 600 V Forbedring SOT-89, BSS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 0.28 A 40 V Forbedring SOT-323, BSS AEC-Q101