Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.3 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101 BSS159NH6906XTSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 12,40

(ekskl. moms)

Kr. 15,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 47.710 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 2,48Kr. 12,40
50 - 120Kr. 2,14Kr. 10,70
125 - 245Kr. 2,02Kr. 10,10
250 - 495Kr. 1,87Kr. 9,35
500 +Kr. 1,736Kr. 8,68

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
250-0549
Producentens varenummer:
BSS159NH6906XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.3A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Serie

BSS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-40-499

Infineon gør N-kanals nedbrydningstilstand MOSFET-transistor med lille signal udbredt til anvendelser med højt switching. Den er lavine-klassificeret og halogenfri. Det er SIPMOS småsignal-transistor. Den er dv/dt-normeret og fås med V GS(th)-indikator på hjul. Den er 100% blyfri; Halogenfri.

VDS er 60 V, RDS(on), maks. 8 Ω og IDSS, min er 0,13 A.

Maks. effekttab er 360 mW

Relaterede links