Infineon N-Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, BSS AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (10 enheder, i en pakke med 10)*

Kr. 14,51

(ekskl. moms)

Kr. 18,14

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 16.850 enhed(er) afsendes fra 10. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 1,451Kr. 14,51

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
250-0542
Producentens varenummer:
BSS138WH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

280mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

BSS

Emballagetype

SOT-323

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

6000mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

+150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon gør SIPMOS småsignal-transistor, N-kanal, forstærkningstilstand. Enheden er dv/dt-klassificeret og blyfri blybelægning. Den har VdS på 60 V, RDS(on) maks. er 3,5 Ω og ID er 0,28 A. Den er halogenfri, P-kanal transistor med forstærkningstilstand, der anvendes i mange sammenhænge. Den er lavine-klassificeret og halogenfri.

100 % blyfri

Maks. effekttab er 360mW

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.