Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.28 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, BSS AEC-Q101 BSS138WH6327XTSA1
- RS-varenummer:
- 250-0542
- Producentens varenummer:
- BSS138WH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 2,07
(ekskl. moms)
Kr. 2,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 9.320 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 0,207 | Kr. 2,07 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0542
- Producentens varenummer:
- BSS138WH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.28A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SOT-323 | |
| Serie | BSS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.28A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SOT-323 | ||
Serie BSS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon gør SIPMOS småsignal-transistor, N-kanal, forstærkningstilstand. Enheden er dv/dt-klassificeret og blyfri blybelægning. Den har VdS på 60 V, RDS(on) maks. er 3,5 Ω og ID er 0,28 A. Den er halogenfri, P-kanal transistor med forstærkningstilstand, der anvendes i mange sammenhænge. Den er lavine-klassificeret og halogenfri.
100 % blyfri
Maks. effekttab er 360mW
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 280 mA 60 V SOT-323 BSS138WH6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 280 mA 60 V SOT-323, SIPMOS® BSS138WH6433XTMA1
- Infineon N-Kanal 230 mA 60 V, PG-SOT-323 SN7002WH6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 150 mA 60 V SOT-323, SIPMOS® BSS84PWH6327XTSA1
- onsemi N-Kanal 300 mA 60 V SOT-323 2N7002KW
- onsemi N-Kanal 340 mA 60 V SOT-323 2N7002WT1G
- onsemi N-Kanal 280 mA 60 V SOT-23 NDS7002A
- onsemi N-Kanal 280 mA 60 V SOT-563 2N7002V
