Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.28 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, BSS AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.137,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.422,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,379Kr. 1.137,00
6000 - 12000Kr. 0,36Kr. 1.080,00
15000 +Kr. 0,345Kr. 1.035,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
250-0541
Producentens varenummer:
BSS138WH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.28A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SOT-323

Serie

BSS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon gør SIPMOS småsignal-transistor, N-kanal, forstærkningstilstand. Enheden er dv/dt-klassificeret og blyfri blybelægning. Den har VdS på 60 V, RDS(on) maks. er 3,5 Ω og ID er 0,28 A. Den er halogenfri, P-kanal transistor med forstærkningstilstand, der anvendes i mange sammenhænge. Den er lavine-klassificeret og halogenfri.

100 % blyfri

Maks. effekttab er 360mW

Relaterede links