Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.28 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, BSS AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.137,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.422,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 9.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,379Kr. 1.137,00
6000 - 12000Kr. 0,36Kr. 1.080,00
15000 +Kr. 0,345Kr. 1.035,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
250-0541
Producentens varenummer:
BSS138WH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.28A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

BSS

Emballagetype

SOT-323

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon gør SIPMOS småsignal-transistor, N-kanal, forstærkningstilstand. Enheden er dv/dt-klassificeret og blyfri blybelægning. Den har VdS på 60 V, RDS(on) maks. er 3,5 Ω og ID er 0,28 A. Den er halogenfri, P-kanal transistor med forstærkningstilstand, der anvendes i mange sammenhænge. Den er lavine-klassificeret og halogenfri.

100 % blyfri

Maks. effekttab er 360mW

Relaterede links