Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.28 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, BSS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 250-0541
- Producentens varenummer:
- BSS138WH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.137,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.422,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,379 | Kr. 1.137,00 |
| 6000 - 12000 | Kr. 0,36 | Kr. 1.080,00 |
| 15000 + | Kr. 0,345 | Kr. 1.035,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0541
- Producentens varenummer:
- BSS138WH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.28A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | BSS | |
| Emballagetype | SOT-323 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.28A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie BSS | ||
Emballagetype SOT-323 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon gør SIPMOS småsignal-transistor, N-kanal, forstærkningstilstand. Enheden er dv/dt-klassificeret og blyfri blybelægning. Den har VdS på 60 V, RDS(on) maks. er 3,5 Ω og ID er 0,28 A. Den er halogenfri, P-kanal transistor med forstærkningstilstand, der anvendes i mange sammenhænge. Den er lavine-klassificeret og halogenfri.
100 % blyfri
Maks. effekttab er 360mW
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 0.28 A 40 V Forbedring SOT-323, BSS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 0.28 A 40 V Forbedring SOT-323, BSS AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben BSS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 0.09 A 600 V Forbedring SOT-89, BSS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 0.54 A 55 V Forbedring SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 0.23 A 30 V Forbedring SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 0.15 A 30 V Forbedring SOT-23, BSS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 0.3 A 60 V Forbedring SOT-23, BSS AEC-Q101