Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 0.23 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSS AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.380,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.740,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 15.000 enhed(er) afsendes fra 19. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,46Kr. 1.380,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
250-0555
Producentens varenummer:
BSS306NH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.23A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOT-23

Serie

BSS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon gør N-kanal forstærkningstilstand lille signal MOSFET-transistor udbredt til anvendelser med højt switching. Den er lavine-klassificeret og halogenfri. Denne enhed er OptiMOS 2, småsignal-transistor. Logikniveauet (4,5V normeret) og Avalanche klassificeret. Den er 100% blyfri og halogenfri.

N-kanal, forstærkningstilstand

Logisk niveau 4,5V normeret

Maks. effekttab er 500mW

Relaterede links