Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 0.28 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, BSS AEC-Q101 BSS209PWH6327XTSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 10,02

(ekskl. moms)

Kr. 12,52

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 10.960 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 1,002Kr. 10,02
100 - 490Kr. 0,95Kr. 9,50
500 - 990Kr. 0,598Kr. 5,98
1000 - 2490Kr. 0,546Kr. 5,46
2500 +Kr. 0,456Kr. 4,56

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
250-0554
Producentens varenummer:
BSS209PWH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.28A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

BSS

Emballagetype

SOT-323

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon gør P-kanal med optimeret mode-transistor udbredt i anvendelser med højt switching. Den er lavine-klassificeret og halogenfri. Denne enhed er OptiMOS-P småsignal-transistor med superlogikniveau på 2,5 V (nominel). Driftstemperaturen er 150 grader C. Det er lavine- og dv/dt-klassificeret. Den er blyfri med blybelægning, halogenfri.

VDS er -20 V, RDS(on), maks. 550 mΩ og ID er -0,63 A.

Maks. effekttab er 500mW

Relaterede links