Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 210 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 124-8962
- Producentens varenummer:
- IRFB3206PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 762,95
(ekskl. moms)
Kr. 953,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 500 enhed(er) afsendes fra 03. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 15,259 | Kr. 762,95 |
| 100 - 200 | Kr. 13,581 | Kr. 679,05 |
| 250 - 450 | Kr. 12,848 | Kr. 642,40 |
| 500 - 950 | Kr. 12,529 | Kr. 626,45 |
| 1000 + | Kr. 12,207 | Kr. 610,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-8962
- Producentens varenummer:
- IRFB3206PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 210A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 120nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 9.02mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 210A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 120nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 9.02mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Motorstyring og AC-DC synkron ensretter MOSFET, Infineon
Motorstyring MOSFET
Infineon tilbyder et omfattende udvalg af robuste N-kanal og P-kanal MOSFET enheder til motorstyring.
Synkron ensretter MOSFET
Et udvalg af synkron ensretter MOSFET-enheder til AC-DC strømforsyninger understøtter kundens behov for højere effekttæthed, mindre størrelse, større bærbarhed og mere fleksible systemer.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 210 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 210 A 40 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 210 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 210 A 60 V TO-220, HEXFET IRFB3206GPBF
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 75 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 84 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 43 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET