Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 210 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 124-8962
- Producentens varenummer:
- IRFB3206PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 490,85
(ekskl. moms)
Kr. 613,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 50 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 9,817 | Kr. 490,85 |
| 100 - 200 | Kr. 8,737 | Kr. 436,85 |
| 250 - 450 | Kr. 8,265 | Kr. 413,25 |
| 500 - 950 | Kr. 8,059 | Kr. 402,95 |
| 1000 + | Kr. 7,854 | Kr. 392,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-8962
- Producentens varenummer:
- IRFB3206PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 210A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 120nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.83 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.02mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 210A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 120nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.83 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.02mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Motorstyring og AC-DC synkron ensretter MOSFET, Infineon
Motorstyring MOSFET
Infineon tilbyder et omfattende udvalg af robuste N-kanal og P-kanal MOSFET enheder til motorstyring.
Synkron ensretter MOSFET
Et udvalg af synkron ensretter MOSFET-enheder til AC-DC strømforsyninger understøtter kundens behov for højere effekttæthed, mindre størrelse, større bærbarhed og mere fleksible systemer.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 210 A 60 V TO-220AB, HEXFET IRFB3206PBF
- Infineon N-Kanal 60 A 60 V HEXFET IRF60B217
- Infineon N-Kanal 210 A 40 V TO-220AB, HEXFET IRF2204PBF
- Infineon N-Kanal 210 A 75 V TO-220AB, HEXFET IRFB3077PBF
- Infineon N-Kanal 173 A 60 V HEXFET IRFB7537PBF
- Infineon N-Kanal 48 A 60 V TO-220AB, HEXFET IRFZ44EPBF
- Infineon N-Kanal 160 A 60 V TO-220AB, HEXFET IRFB3306PBF
- Infineon N-Kanal 84 A 60 V TO-220AB, HEXFET IRF1010EPBF
