Infineon N-Kanal, MOSFET, 84 A 60 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRF1010EPBF

RS-varenummer:: 178-1449
Producentens varenummer:: IRF1010EPBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 84 A 60 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRF1010EPBF

Der er mulighed for mængderabat

Pris Pr. stk. (i rør á 50)*

Kr. 5,909

(ekskl. moms)

Kr. 7,386

(inkl. moms)

GRATIS levering for ordrer over 500,00 kr.

På lager

250 enhed(er) klar til afsendelse fra et andet lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Pr stk.	Pr rør*
50 - 50	Kr. 5,909	Kr. 295,45
100 - 200	Kr. 4,846	Kr. 242,30
250 - 450	Kr. 4,551	Kr. 227,55
500 - 1200	Kr. 4,253	Kr. 212,65
1250 +	Kr. 3,958	Kr. 197,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-1449
Producentens varenummer:: IRF1010EPBF
Brand:: Infineon

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 84A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 200W maksimal effektafledning - IRF1010EPBF

Denne MOSFET er designet til høj ydeevne i forskellige elektroniske applikationer. Dens lave on-resistance-egenskaber og kapacitet til høje kontinuerlige drain-strømme gør den til en nøglekomponent for ingeniører i automatiserings- og strømstyringssystemer. Enheden klarer sig godt i barske miljøer og sikrer konsekvent drift over et bredt temperaturområde.

Egenskaber og fordele

• Lav RDS(on) bidrager til minimalt effekttab ved høje strømme
• Høj kontinuerlig drænstrømskapacitet på op til 84A forbedrer effektiviteten
• Kompakt TO-220AB-pakke giver mulighed for nem montering
• Hurtige skiftefunktioner forbedrer den samlede kredsløbsydelse
• Fuldt lavineklassificeret for ekstra beskyttelse af enheden

Anvendelsesområder

• Strømforsyningskredsløb til effektiv spændingsregulering
• Motorstyringssystemer til præcis drift
• Driverkredsløb i høj strøm
• Signalforstærkning i elektroniske enheder

Hvad er værdierne for termisk modstand for dette produkt?

Den termiske modstand mellem forbindelsen og kabinettet er 0,75 °C/W, og den termiske modstand mellem kabinettet og soklen på en flad, smurt overflade er 0,50 °C/W, hvilket giver en effektiv varmeafledning.

Kan den fungere sikkert i miljøer med høje temperaturer?

Ja, den fungerer effektivt ved temperaturer op til 175 °C, hvilket gør den velegnet til anvendelser, hvor varme er et problem.

Hvilken type strøm kan den klare ved høje temperaturer?

Ved en kabinetemperatur på 100 °C kan den håndtere en kontinuerlig afløbsstrøm på 59 A, hvilket sikrer pålidelig drift under belastning.

Hvordan påvirker gate-ladningen dens ydeevne?

Med en typisk gate-ladning på 130 nC ved 10 V giver den mulighed for hurtig omskiftning og effektiv drift i dynamiske applikationer.

Hvad er den maksimale gate-to-source-spænding, der understøttes?

Enheden understøtter en maksimal gate-to-source-spænding på ±20V, hvilket giver fleksibilitet i drivkredsløb og sikrer sikker drift.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	84 A
Drain source spænding maks.	60 V
Kapslingstype	TO-220AB
Serie	HEXFET
Monteringstype	Hulmontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	12 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4V
Mindste tærskelspænding for port	2V
Effektafsættelse maks.	200 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Gate-ladning ved Vgs typisk	130 nC ved 10 V
Bredde	4.69mm
Driftstemperatur maks.	+175 °C
Transistormateriale	Si
Længde	10.54mm
Antal elementer per chip	1
Højde	8.77mm
Driftstemperatur min.	-55 °C