Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 84 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRF1010EPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 309,35

(ekskl. moms)

Kr. 386,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 6,187Kr. 309,35
100 - 200Kr. 5,074Kr. 253,70
250 - 450Kr. 4,765Kr. 238,25
500 - 1200Kr. 4,455Kr. 222,75
1250 +Kr. 4,145Kr. 207,25

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-1449
Producentens varenummer:
IRF1010EPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

84A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

12mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

130nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

200W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

8.77mm

Bredde

4.69 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.54mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 84A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 200W maksimal effektafledning - IRF1010EPBF


Denne MOSFET er designet til høj ydeevne i forskellige elektroniske applikationer. Dens lave on-resistance-egenskaber og kapacitet til høje kontinuerlige drain-strømme gør den til en nøglekomponent for ingeniører i automatiserings- og strømstyringssystemer. Enheden klarer sig godt i barske miljøer og sikrer konsekvent drift over et bredt temperaturområde.

Egenskaber og fordele


• Lav RDS(on) bidrager til minimalt effekttab ved høje strømme

• Høj kontinuerlig drænstrømskapacitet på op til 84A forbedrer effektiviteten

• Kompakt TO-220AB-pakke giver mulighed for nem montering

• Hurtige skiftefunktioner forbedrer den samlede kredsløbsydelse

• Fuldt lavineklassificeret for ekstra beskyttelse af enheden

Anvendelsesområder


• Strømforsyningskredsløb til effektiv spændingsregulering

• Motorstyringssystemer til præcis drift

• Driverkredsløb i høj strøm

• Signalforstærkning i elektroniske enheder

Hvad er værdierne for termisk modstand for dette produkt?


Den termiske modstand mellem forbindelsen og kabinettet er 0,75 °C/W, og den termiske modstand mellem kabinettet og soklen på en flad, smurt overflade er 0,50 °C/W, hvilket giver en effektiv varmeafledning.

Kan den fungere sikkert i miljøer med høje temperaturer?


Ja, den fungerer effektivt ved temperaturer op til 175 °C, hvilket gør den velegnet til anvendelser, hvor varme er et problem.

Hvilken type strøm kan den klare ved høje temperaturer?


Ved en kabinetemperatur på 100 °C kan den håndtere en kontinuerlig afløbsstrøm på 59 A, hvilket sikrer pålidelig drift under belastning.

Hvordan påvirker gate-ladningen dens ydeevne?


Med en typisk gate-ladning på 130 nC ved 10 V giver den mulighed for hurtig omskiftning og effektiv drift i dynamiske applikationer.

N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links