Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 84 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 205,55

(ekskl. moms)

Kr. 256,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 700 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 4,111Kr. 205,55
100 - 200Kr. 3,61Kr. 180,50
250 - 450Kr. 3,516Kr. 175,80
500 - 1200Kr. 3,426Kr. 171,30
1250 +Kr. 3,339Kr. 166,95

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-1449
Producentens varenummer:
IRF1010EPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

84A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

12mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

130nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

200W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.54mm

Højde

8.77mm

Bredde

4.69 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 84A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 200W maksimal effektafledning - IRF1010EPBF


Denne MOSFET er designet til høj ydeevne i forskellige elektroniske applikationer. Dens lave on-resistance-egenskaber og kapacitet til høje kontinuerlige drain-strømme gør den til en nøglekomponent for ingeniører i automatiserings- og strømstyringssystemer. Enheden klarer sig godt i barske miljøer og sikrer konsekvent drift over et bredt temperaturområde.

Egenskaber og fordele


• Lav RDS(on) bidrager til minimalt effekttab ved høje strømme

• Høj kontinuerlig drænstrømskapacitet på op til 84A forbedrer effektiviteten

• Kompakt TO-220AB-pakke giver mulighed for nem montering

• Hurtige skiftefunktioner forbedrer den samlede kredsløbsydelse

• Fuldt lavineklassificeret for ekstra beskyttelse af enheden

Anvendelsesområder


• Strømforsyningskredsløb til effektiv spændingsregulering

• Motorstyringssystemer til præcis drift

• Driverkredsløb i høj strøm

• Signalforstærkning i elektroniske enheder

Hvad er værdierne for termisk modstand for dette produkt?


Den termiske modstand mellem forbindelsen og kabinettet er 0,75 °C/W, og den termiske modstand mellem kabinettet og soklen på en flad, smurt overflade er 0,50 °C/W, hvilket giver en effektiv varmeafledning.

Kan den fungere sikkert i miljøer med høje temperaturer?


Ja, den fungerer effektivt ved temperaturer op til 175 °C, hvilket gør den velegnet til anvendelser, hvor varme er et problem.

Hvilken type strøm kan den klare ved høje temperaturer?


Ved en kabinetemperatur på 100 °C kan den håndtere en kontinuerlig afløbsstrøm på 59 A, hvilket sikrer pålidelig drift under belastning.

Hvordan påvirker gate-ladningen dens ydeevne?


Med en typisk gate-ladning på 130 nC ved 10 V giver den mulighed for hurtig omskiftning og effektiv drift i dynamiske applikationer.

N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links