Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 981,60

(ekskl. moms)

Kr. 1.227,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 19,632Kr. 981,60
100 - 200Kr. 18,061Kr. 903,05
250 +Kr. 17,08Kr. 854,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
124-8963
Producentens varenummer:
IRFB4110PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

180A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-220

Serie

HEXFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

150nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

370W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

9.02mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.82 mm

Længde

10.66mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 180A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 370W maksimal effektafledning - IRFB4110PBF


Denne MOSFET fungerer som en effektiv effekttransistor, der er skræddersyet til applikationer inden for automatisering, elektronik og elektriske industrier. Dens robuste konstruktion og præcise specifikationer giver en alsidig løsning til anvendelser, hvor effektivitet og pålidelighed er afgørende. Med et enhancement mode-design og en N-kanal-konfiguration er den velegnet til højhastigheds-switching.

Egenskaber og fordele


• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 180A understøtter høj ydeevne

• Drain-to-source-spændingsområde på 100 V giver mulighed for en række forskellige anvendelser

• Lav RDS(on) på 4,5 mΩ reducerer strømtab og forbedrer effektiviteten

• Strømspredningskapacitet på op til 370 W sikrer stabilitet

• Forbedrede termiske egenskaber fremmer pålideligheden under ekstreme forhold

• Fuld karakterisering af lavine- og dynamisk dv/dt-robusthed fremmer holdbarheden

Anvendelsesområder


• Anvendes i højeffektiv synkron ensretning til strømforsyninger

• Velegnet til uafbrydelige strømforsyningssystemer

• Ideel til højhastighedsstrømkredsløb

• Anvendelig i hårdt koblede og højfrekvente kredsløb

Hvad er det passende driftstemperaturområde for optimal ydelse?


Den fungerer effektivt inden for -55 °C til +175 °C, hvilket sikrer funktionalitet i forskellige miljøer.

Hvordan minimerer MOSFET'en energitab i kredsløb?


Den lave RDS(on) på 4,5 mΩ reducerer ledningstabet betydeligt, hvilket giver mulighed for effektiv drift i effektelektronik.

Kan den bruges i højfrekvente applikationer?


Ja, dens design gør det muligt at skifte ved høj hastighed, hvilket gør den velegnet til applikationer, der kræver hurtige on-off-overgange.

Hvad er værdierne for termisk modstand for korrekt montering?


Den termiske modstand mellem forbindelsen og kabinettet er 0,402 °C/W, mens modstanden mellem kabinettet og soklen er 0,50 °C/W, hvilket giver en effektiv varmeafledning.

Hvilke lavineegenskaber skal man være opmærksom på under brug?


Den understøtter energiklasser for enkeltpulslaviner, hvilket giver beskyttelse mod forbigående spændingsspidser og sikrer pålidelighed i kredsløbsdesign.

Relaterede links