Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRFS4010TRLPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 52,16

(ekskl. moms)

Kr. 65,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 16 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 818 enhed(er) afsendes fra 13. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 26,08Kr. 52,16
20 - 48Kr. 22,965Kr. 45,93
50 - 98Kr. 21,43Kr. 42,86
100 - 198Kr. 19,82Kr. 39,64
200 +Kr. 18,25Kr. 36,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
130-0999
Producentens varenummer:
IRFS4010TRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

180A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

143nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.83mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.67mm

Bredde

9.65 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 180A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 375W maksimal effektafledning - IRFS4010TRLPBF


Denne højeffekts-MOSFET leverer stærk ydeevne på tværs af forskellige applikationer, hvilket er vigtigt for moderne elektroniske systemer. Dens enhancement mode-drift og avancerede HEXFET-teknologi giver effektiv strømstyring, hvilket gør den velegnet til applikationer, der kræver pålidelig strømstyring.

Egenskaber og fordele


• Understøtter kontinuerlig afløbsstrøm på op til 180 A til store belastninger

• Maksimal drain-source-spænding på 100 V for fleksibilitet

• Lav Rds(on) på 4,7mΩ minimerer strømtab under drift

• Designet i en enkelt konfiguration for lettere integration

• Håndterer effektivt temperaturer op til +175 °C

• Kan skifte strøm ved høj hastighed for effektiv drift

Anvendelsesområder


• Bruges i synkron ensretning til switched-mode strømforsyninger

• Velegnet til uafbrydelige strømforsyningssystemer

• Anvendes i hard-switched og højfrekvente kredsløb

• Anvendes i automatiseringsudstyr, der kræver effektiv strømstyring

• Integreres godt i forskellige elektriske og mekaniske projekter

Hvordan påvirker modstanden ydeevnen i højfrekvente applikationer?


En lav Rds(on) reducerer varmeudviklingen og effekttabet betydeligt, hvilket forbedrer effektiviteten af højfrekvente effektomformere.

Hvilken gate-spænding er nødvendig for at sikre optimal drift?


Enheden fungerer effektivt med en gate-source-spænding på mellem 2V og 4V, hvor 10V anbefales for maksimal effektivitet.

Er installationen af denne komponent ligetil?


Ja, denne overflademonterede MOSFET er designet til nem placering på printkort, hvilket giver mulighed for hurtige og pålidelige opsætninger i forskellige enheder.

Kan den håndtere varmestyring effektivt?


Med en maksimal driftstemperatur på +175 °C er den velegnet til brug i miljøer, der kræver en solid termisk ydeevne.

Hvilke typer kredsløb kan drage fordel af at indarbejde denne komponent?


Den er ideel til højhastigheds-switching-applikationer, load driver-kredsløb og power management-systemer inden for automatisering og elektriske områder.

Relaterede links