Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 130-0999
- Producentens varenummer:
- IRFS4010TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 48,32
(ekskl. moms)
Kr. 60,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 22 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 798 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 24,16 | Kr. 48,32 |
| 20 - 48 | Kr. 21,245 | Kr. 42,49 |
| 50 - 98 | Kr. 19,785 | Kr. 39,57 |
| 100 - 198 | Kr. 18,325 | Kr. 36,65 |
| 200 + | Kr. 16,865 | Kr. 33,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 130-0999
- Producentens varenummer:
- IRFS4010TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 143nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 143nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 180A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 375W maksimal effektafledning - IRFS4010TRLPBF
Denne højeffekts-MOSFET leverer stærk ydeevne på tværs af forskellige applikationer, hvilket er vigtigt for moderne elektroniske systemer. Dens enhancement mode-drift og avancerede HEXFET-teknologi giver effektiv strømstyring, hvilket gør den velegnet til applikationer, der kræver pålidelig strømstyring.
Egenskaber og fordele
• Understøtter kontinuerlig afløbsstrøm på op til 180 A til store belastninger
• Maksimal drain-source-spænding på 100 V for fleksibilitet
• Lav Rds(on) på 4,7mΩ minimerer strømtab under drift
• Designet i en enkelt konfiguration for lettere integration
• Håndterer effektivt temperaturer op til +175 °C
• Kan skifte strøm ved høj hastighed for effektiv drift
Anvendelsesområder
• Bruges i synkron ensretning til switched-mode strømforsyninger
• Velegnet til uafbrydelige strømforsyningssystemer
• Anvendes i hard-switched og højfrekvente kredsløb
• Anvendes i automatiseringsudstyr, der kræver effektiv strømstyring
• Integreres godt i forskellige elektriske og mekaniske projekter
Hvordan påvirker modstanden ydeevnen i højfrekvente applikationer?
En lav Rds(on) reducerer varmeudviklingen og effekttabet betydeligt, hvilket forbedrer effektiviteten af højfrekvente effektomformere.
Hvilken gate-spænding er nødvendig for at sikre optimal drift?
Enheden fungerer effektivt med en gate-source-spænding på mellem 2V og 4V, hvor 10V anbefales for maksimal effektivitet.
Er installationen af denne komponent ligetil?
Ja, denne overflademonterede MOSFET er designet til nem placering på printkort, hvilket giver mulighed for hurtige og pålidelige opsætninger i forskellige enheder.
Kan den håndtere varmestyring effektivt?
Med en maksimal driftstemperatur på +175 °C er den velegnet til brug i miljøer, der kræver en solid termisk ydeevne.
Hvilke typer kredsløb kan drage fordel af at indarbejde denne komponent?
Den er ideel til højhastigheds-switching-applikationer, load driver-kredsløb og power management-systemer inden for automatisering og elektriske områder.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 180 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 180 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N MOSFET 3 Ben HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 105 A 150 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 183 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 173 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET