Infineon N-Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 124-9026
- Producentens varenummer:
- IRLB4030PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 1.031,85
(ekskl. moms)
Kr. 1.289,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 12. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 20,637 | Kr. 1.031,85 |
| 100 - 200 | Kr. 17,336 | Kr. 866,80 |
| 250 + | Kr. 16,097 | Kr. 804,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-9026
- Producentens varenummer:
- IRLB4030PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -16V, +16V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 87nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 370W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.02mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -16V, +16V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 87nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 370W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.02mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Infineon HEXFET seriens MOSFET, 100 V maksimal drain source-spænding, 180 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRLB4030PBF
Denne n-kanal-forbedrings-MOSFET er en effektkontakt med høj strømstyrke, der er designet til montering gennem hul i TO-220-pakker, der er beregnet til krævende strømkonverterings- og koblingsanvendelser. Den fungerer over et bredt termisk område og understøtter gate-drevet styring for effektiv ledning i DC-kredsløb, hvor der kræves lav modstand ved tænding og betydelig kontinuerlig strømkapacitet.
Egenskaber og fordele:
• Meget lav modstand ved tænding på 4 mΩ for reducerede ledningstab
• Håndterer kontinuerlig afløbsstrøm på 180 A til anvendelser med høj belastning
• Nominel drain-kilde-spænding 100 V til at rumme mellemspændingssystemer
• Maksimal effekttab på 370 W for vedvarende termisk belastning
• Typisk gate-ladning 87 nC, der muliggør forudsigelig koblingsadfærd
• Gate-source-modstandsdygtighed op til 16 V for robust drevmargin
• Håndterer kontinuerlig afløbsstrøm på 180 A til anvendelser med høj belastning
• Nominel drain-kilde-spænding 100 V til at rumme mellemspændingssystemer
• Maksimal effekttab på 370 W for vedvarende termisk belastning
• Typisk gate-ladning 87 nC, der muliggør forudsigelig koblingsadfærd
• Gate-source-modstandsdygtighed op til 16 V for robust drevmargin
Anvendelser
• Velegnet til stærkt strømførende motordrevstrin
• Ideel til synkron ensretning i strømforsyninger
• Anvendes sammen med batteristyring og DC-DC-omformere
• Kan bruges til omskiftning af industrielle invertere
• Velegnet til telekommunikationsstrømfordelingsrack
• Ideel til synkron ensretning i strømforsyninger
• Anvendes sammen med batteristyring og DC-DC-omformere
• Kan bruges til omskiftning af industrielle invertere
• Velegnet til telekommunikationsstrømfordelingsrack
Hvilke termiske ekstremer kan den tolerere under drift?
Enheden er specificeret til at fungere mellem -55 °C og 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i både koldstartsforhold og miljøer med forhøjet temperatur, der opstår i nærheden af varmekilder.
Hvordan skal den monteres for at håndtere varmen effektivt?
Den leveres i en TO-220-pakke med gennemgående hul, der giver mulighed for sikker boltet fastgørelse til kølelegemer, hvilket muliggør direkte varmeledning fra pakkefanen for forbedret køling.
Hvilke koblingsegenskaber påvirker valg af portdriver?
Med en typisk samlet gate-ladning på 87 nC skal driverkredsløb forsyne tilstrækkelig spidsstrøm til de ønskede overgangstider, samtidig med at de håndterer skiftetab.
Hvilken krop- og kanaladfærd påvirker valg af kredsløbstopologi?
Som en N-kanalforbedringsenhed leder den, når den er positivt drevet ved porten i forhold til kilden, hvilket gør den velegnet til lav-side-switching og synkrone topologier.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 180 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 180 A 75 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 76 A 200 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 95 A 60 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 46 A 250 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 35 A 150 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 180 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET