Toshiba N-Kanal, MOSFET, 38,8 A 600 V, 4 ben, TO-247, DTMOSIV-H TK39Z60X,S1F(S

Brand

Toshiba

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

38,8 A

Drain source spænding maks.

600 V

Serie

DTMOSIV-H

Kapslingstype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks.

65 mΩ

Kanalform

Enhancement

Effektafsættelse maks.

270 W

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Længde

15.94mm

Antal elementer per chip

1

Bredde

5.02mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

85 nC

Højde

20.95mm