Toshiba N-Kanal, MOSFET, 13,7 A 650 V, 3 ben, TO-247, DTMOSIV TK14N65W5,S1F(S

Brand

Toshiba

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

13,7 A

Drain source spænding maks.

650 V

Kapslingstype

TO-247

Serie

DTMOSIV

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

300 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4.5V

Mindste tærskelspænding for port

3V

Effektafsættelse maks.

130 W

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Længde

15.94mm

Transistormateriale

Si

Gate-ladning ved Vgs typisk

40 nC ved 10 V

Bredde

5.02mm

Antal elementer per chip

1

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Gennemgangsspænding for diode

1.7V

Højde

20.95mm