Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-varenummer:
- 130-0973
- Producentens varenummer:
- IRFH5006TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 105,92
(ekskl. moms)
Kr. 132,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 10 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 21,184 | Kr. 105,92 |
| 25 - 45 | Kr. 17,788 | Kr. 88,94 |
| 50 - 120 | Kr. 16,516 | Kr. 82,58 |
| 125 - 245 | Kr. 15,454 | Kr. 77,27 |
| 250 + | Kr. 14,392 | Kr. 71,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 130-0973
- Producentens varenummer:
- IRFH5006TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 69nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6mm | |
| Højde | 0.85mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 69nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6mm | ||
Højde 0.85mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 85 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 10 A 100 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 44 A 150 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 82 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 44 A 30 V Forbedring PQFN, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 30 A 80 V Forbedring PQFN, HEXFET