Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 85 A 60 V, PQFN, HEXFET Nej IRFH7545TRPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 28,66

(ekskl. moms)

Kr. 35,825

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.790 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 5,732Kr. 28,66
50 - 120Kr. 5,026Kr. 25,13
125 - 245Kr. 4,742Kr. 23,71
250 - 495Kr. 3,71Kr. 18,55
500 +Kr. 2,858Kr. 14,29

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
257-5818
Producentens varenummer:
IRFH7545TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

85A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PQFN

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

5.2mΩ

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

5mm

Bredde

6 mm

Højde

1.17mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.

Effekthus til overflademontering i industristandard

Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden

Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter nedenfor <100 kHz

Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration

Bredt udvalg kan leveres

Relaterede links