Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 85 A 60 V, PQFN, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 257-5531
- Producentens varenummer:
- IRFH7545TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 13.392,00
(ekskl. moms)
Kr. 16.740,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 06. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 3,348 | Kr. 13.392,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-5531
- Producentens varenummer:
- IRFH7545TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 85A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.2mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 73nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Bredde | 6 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 1.17mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 85A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.2mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 73nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Bredde 6 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 1.17mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Effekthus til overflademontering i industristandard
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter nedenfor <100 kHz
Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration
Bredt udvalg kan leveres
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 85 A 60 V HEXFET IRFH7545TRPBF
- Infineon N-Kanal 40 A 60 V HEXFET IRFH5406TRPBF
- Infineon N-Kanal 100 A 60 V PQFN 5 x 6, HEXFET IRFH5006TRPBF
- Infineon N-Kanal 40 A 20 V HEXFET IRLHM620TRPBF
- Infineon N-Kanal 88 A 100 V HEXFET IRLH5030TRPBF
- Infineon N-Kanal 265 A 40 V HEXFET IRFH7084TRPBF
- Infineon N-Kanal 9 PQFN, HEXFET IRFH5053TRPBF
- Infineon N-Kanal 27 A 150 V HEXFET IRFH5215TRPBF
