Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 85 A 60 V, PQFN, HEXFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 13.068,00

(ekskl. moms)

Kr. 16.336,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4000 +Kr. 3,267Kr. 13.068,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
257-5531
Producentens varenummer:
IRFH7545TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

85A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PQFN

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Drain source modstand maks. Rds

5.2mΩ

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

1.17mm

Længde

5mm

Bredde

6 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-serie er optimeret til lav RDS og høj strømkapacitet. Enhederne er velegnede til anvendelser med lav frekvens, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje henvender sig til en bred vifte af anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.

Effekthus til overflademontering i industristandard

Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden

Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter nedenfor <100 kHz

Blødere husdiode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration

Bredt udvalg kan leveres

Relaterede links