Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 246 A 75 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 130-1007
- Producentens varenummer:
- IRFS7730TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 43,38
(ekskl. moms)
Kr. 54,22
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 21,69 | Kr. 43,38 |
| 10 - 18 | Kr. 20,615 | Kr. 41,23 |
| 20 - 48 | Kr. 18,55 | Kr. 37,10 |
| 50 - 98 | Kr. 16,72 | Kr. 33,44 |
| 100 + | Kr. 15,855 | Kr. 31,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 130-1007
- Producentens varenummer:
- IRFS7730TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 246A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 271nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 246A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 271nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon StrongIRFET serien er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Dette sortiment giver forbedret port-, lavine og dynamisk dv/dt robusthed, der er velegnet til industrielle lavfrekvensanvendelser, inklusive motorstyringer, el-værktøj, invertere og batteristyring, hvor ydelse og robusthed er afgørende.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 246 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 269 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 183 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 128 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 106 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 62 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET