Infineon N-Kanal, MOSFET, 63 A 100 V, 3 ben, DPAK (TO-252), HEXFET IRLR3110ZTRLPBF

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
130-1020
Producentens varenummer:
IRLR3110ZTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

63 A

Drain source spænding maks.

100 V

Kapslingstype

DPAK (TO-252)

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

16 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

2.5V

Mindste tærskelspænding for port

1V

Effektafsættelse maks.

140 W

Gate source spænding maks.

-16 V, +16 V

Bredde

9.65mm

Længde

10.67mm

Antal elementer per chip

1

Gate-ladning ved Vgs typisk

34 nC ved 4,5 V

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

4.83mm

Gennemgangsspænding for diode

1.3V

N-kanal Power MOSFET 100 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links