Toshiba N-Kanal, MOSFET, 21 A 100 V, 8 ben, TSON, U-MOSVIII-H TPN3300ANH,LQ(S

Brand

Toshiba

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

21 A

Drain source spænding maks.

100 V

Serie

U-MOSVIII-H

Kapslingstype

TSON

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks.

33 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4V

Mindste tærskelspænding for port

2V

Effektafsættelse maks.

27 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Antal elementer per chip

1

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Bredde

3.1mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

11 nC ved 10 V

Længde

3.1mm

Transistormateriale

Si

Højde

0.85mm

Gennemgangsspænding for diode

1.2V