DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 130 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, DMN AEC-Q101 DMNH6008SCT
- RS-varenummer:
- 133-3382
- Producentens varenummer:
- DMNH6008SCT
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 68,34
(ekskl. moms)
Kr. 85,425
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 13,668 | Kr. 68,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 133-3382
- Producentens varenummer:
- DMNH6008SCT
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 130A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | DMN | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.13W | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 40nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3mm | |
| Bredde | 2.5 mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 130A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie DMN | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.13W | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 40nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3mm | ||
Bredde 2.5 mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 40 V til 90 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 130 A 60 V Forbedring TO-220, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 150 A 40 V Forbedring TO-220, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 150 A 40 V Forbedring TO-220, DMN AEC-Q101 DMNH4005SCT
- DiodesZetex Type N-Kanal 5 A 60 V Forbedring SOIC, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 5 A 60 V Forbedring SOIC, DMN AEC-Q101 DMN6066SSS-13
- DiodesZetex Type N-Kanal 2.5 A 60 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 407 mA 60 V Forbedring X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SOT-223, DMN AEC-Q101