Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 133-9881
- Producentens varenummer:
- BSC009NE2LS5IATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 78,99
(ekskl. moms)
Kr. 98,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 15,798 | Kr. 78,99 |
| 25 - 45 | Kr. 14,062 | Kr. 70,31 |
| 50 - 120 | Kr. 13,104 | Kr. 65,52 |
| 125 - 245 | Kr. 12,312 | Kr. 61,56 |
| 250 + | Kr. 11,384 | Kr. 56,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 133-9881
- Producentens varenummer:
- BSC009NE2LS5IATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.95mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.62V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 74W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, JESD22, JEDEC J-STD20, IEC61249-2-21 | |
| Længde | 5.49mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.95mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.62V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 74W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, JESD22, JEDEC J-STD20, IEC61249-2-21 | ||
Længde 5.49mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 100 A 25 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, OptiMOS 5
- Infineon N-kanal-Kanal 44 A 200 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal Halvbro 60 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal Halvbro 60 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 44 A 100 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, BSC
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring TDSON, OptiMOS 5