Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Forbedring, 4 Ben, TO-220, SUP50020E
- RS-varenummer:
- 134-9705
- Producentens varenummer:
- SUP50020E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 54,90
(ekskl. moms)
Kr. 68,62
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 27,45 | Kr. 54,90 |
| 20 - 98 | Kr. 25,73 | Kr. 51,46 |
| 100 - 198 | Kr. 24,72 | Kr. 49,44 |
| 200 - 498 | Kr. 24,085 | Kr. 48,17 |
| 500 + | Kr. 23,56 | Kr. 47,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 134-9705
- Producentens varenummer:
- SUP50020E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | SUP50020E | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 126nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 15.49mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.51mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie SUP50020E | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 126nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 15.49mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.51mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, TrenchFET op til Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 60 A 120 V Forbedring TO-220, TK
- STMicroelectronics Type N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-220 STripFET
- Infineon Type N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 120 A 120 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Toshiba Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-220, TK
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
- ROHM Type N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-220, RX3P07CBH
