MPN

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 3 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej SIHD3N50D-GE3

RS-varenummer:: 145-1656
Producentens varenummer:: SIHD3N50D-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 3 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej SIHD3N50D-GE3

Kan ikke leveres i øjeblikket

Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.

RS-varenummer:: 145-1656
Producentens varenummer:: SIHD3N50D-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	3A
	Drain source spænding maks. Vds	500V
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	3.2Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	12nC
	Effektafsættelse maks. Pd	104W
	Portkildespænding maks.	±30 V
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	6.22 mm
	Længde	6.73mm
	Højde	2.38mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A
	Drain source spænding maks. Vds 500V
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 3.2Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC
	Effektafsættelse maks. Pd 104W
	Portkildespænding maks. ±30 V
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 6.22 mm
	Længde 6.73mm
	Højde 2.38mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 3 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej SIHD3N50D-GE3

N-kanal MOSFET, D serien høj spænding, Vishay Semiconductor

MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor

Relaterede links