Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 3.1 A 400 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IRFR320

Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
RS-varenummer:
177-7558
Producentens varenummer:
IRFR320TRPBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.1A

Drain source spænding maks. Vds

400V

Serie

IRFR320

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.8Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

42W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

6.22mm

Længde

6.73mm

Højde

2.38mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay IRFR320 seriens effekt-MOSFET, 400 V drain source-spænding, 3,1 A kontinuerlig drain-strøm - IRFR320TRPBF


Denne effekt-MOSFET er en højspændingstransistor beregnet til overflademonterede kortmoduler i strømkonverterings- og styringskredsløb. Den fungerer som en N-kanal-forbedringsenhed og er designet til at håndtere høje drain-til-kilde-spændinger og moderate kontinuerlige strømme, hvilket gør den velegnet til koblings- og energistyringsroller i industriel og forbrugerelektronik.

Egenskaber og fordele:


• 400 V maksimal drain-til-kilde-spænding muliggør højspændingskontaktfunktion
• 3,1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 1.8 Ω maks. Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• Maksimalt effekttab på 42 W muliggør vedvarende termisk håndtering
• 20 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelig skifteadfærd
• 20 V gate-source-grænse sikrer kompatibilitet med standard gate-drivere

Anvendelser


• Velegnet til switch-mode strømforsyninger og omformere
• Ideel til motorstyring i systemer med lavt strømforbrug
• Anvendes til kobling af strøm på primær side i industrielt udstyr
• Kan bruges til elektroniske belastningsbeskyttelseskredsløb
• Velegnet til udskiftning af højspændingsrelæer på kort

Hvilket termisk område kan forventes for drift?


Enheden er specificeret til at fungere mellem -55 °C og 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i udvidede temperaturmiljøer.

Hvordan er komponenten pakket til samling?


Den leveres i en 3-benet TO-252 overflademonteret pakke, der er velegnet til automatiseret PCB-placering.

Hvilke hensyn er der behov for til gate-drev?


Drivere bør overholde en maksimal gate-source-klassificering på 20 V og tage hensyn til den typiske 20 nC gate-ladning ved dimensionering af drivstrøm og skiftehastighed.

Er dette velegnet til design i bilkvalitet?


Delen opfylder ikke bilstandarder, så den er ikke beregnet til brug i certificerede bilsystemer.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.