Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 2.4 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IRFR420
- RS-varenummer:
- 710-4657
- Producentens varenummer:
- IRFR420TRPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 78,17
(ekskl. moms)
Kr. 97,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 7,817 | Kr. 78,17 |
| 100 - 240 | Kr. 7,66 | Kr. 76,60 |
| 250 - 490 | Kr. 6,642 | Kr. 66,42 |
| 500 - 990 | Kr. 6,336 | Kr. 63,36 |
| 1000 + | Kr. 5,161 | Kr. 51,61 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 710-4657
- Producentens varenummer:
- IRFR420TRPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IRFR420 | |
| Monteringstype | Hulmontering, Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IRFR420 | ||
Monteringstype Hulmontering, Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 2.4 A 500 V Forbedring TO-252, IRFR420
- Vishay Type N-Kanal 3 A 500 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.4 A 600 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- Infineon Type N-Kanal 2.4 A 600 V Forbedring TO-252, CoolMOS C6
- Vishay Type N-Kanal 3.1 A 400 V Forbedring TO-252, IRFR320
- onsemi Type N-Kanal 29 A 100 V Forbedring TO-252, PowerTrench
- Vishay Type N-Kanal 2.6 A 200 V Forbedring TO-252, IRFR
- Vishay Type N-Kanal 2.4 A 500 V Forbedring IPAK, IRFU
