Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 2.4 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IRFR420
- RS-varenummer:
- 177-7553
- Producentens varenummer:
- IRFR420TRPBF
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 177-7553
- Producentens varenummer:
- IRFR420TRPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IRFR420 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IRFR420 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Bredde 6.22mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRFR420 seriens effekt-MOSFET, 500 V maksimal drain-kildespænding, 42 W maksimal effekttab - IRFR420TRPBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til koblings- og strømstyringsroller i industrielt og elektronisk udstyr. Den fungerer over et bredt temperaturområde til krævende miljøer og leveres i en kompakt pakke til overflademontering, der er velegnet til samlinger på kortniveau.
Egenskaber og fordele:
• 500 V maksimal drain-source-spænding for højspændingskontaktfunktion
• 3 Ω Rds(on), der muliggør forudsigelige ledningstab
• 2,4 A kontinuerlig afløbsstrøm til håndtering af belastning i stabil tilstand
• 19 nC gate-ladning, der understøtter effektive skifteovergange
• 42 W maks. effekttab til termisk ydeevnebudgettering
• 20 V gate-source-klassificering for at rumme stærke gate-drive-marginer
• 3 Ω Rds(on), der muliggør forudsigelige ledningstab
• 2,4 A kontinuerlig afløbsstrøm til håndtering af belastning i stabil tilstand
• 19 nC gate-ladning, der understøtter effektive skifteovergange
• 42 W maks. effekttab til termisk ydeevnebudgettering
• 20 V gate-source-klassificering for at rumme stærke gate-drive-marginer
Anvendelser
• Velegnet til højspændings-switch-mode strømforsyninger
• Ideel til industrielle motorstyringsfrontender
• Anvendes sammen med isolerede DC-DC-omformere i strømsystemer
• Kan bruges til lampe- og varmekredsløb
• Velegnet til robust elektronik, der fungerer ved ekstreme temperaturer
• Ideel til industrielle motorstyringsfrontender
• Anvendes sammen med isolerede DC-DC-omformere i strømsystemer
• Kan bruges til lampe- og varmekredsløb
• Velegnet til robust elektronik, der fungerer ved ekstreme temperaturer
Hvilken monteringsmetode skal anvendes for pålidelig drift?
Pakken er en TO-252 overflademonteret type, så standard SMT-reflow-processer og kompatible jordmønstre er velegnede til printmontering.
Hvilke termiske grænser skal designere overveje under layout?
Enheden spreder op til 42 W
kobberareal, termiske ledninger og tilstrækkelig varmeafledning på printkortet er påkrævet for at styre forbindelsestemperaturen inden for grænserne.
Hvordan påvirker valg af gate-drev koblingens ydeevne?
Et drev, der er i stand til at nærme sig 20 V gate-source-grænse, giver hurtigere tænding, mens 19 nC gate-ladestærsklen hjælper med at estimere nødvendig drevstrøm og skiftetab.
Hvilke miljømæssige ekstremer kan den modstå?
Den er specificeret til drift fra -55 °C til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i anvendelser med brede omgivelses- og samletemperatursvingninger.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 2.4 A 500 V Forbedring TO-252, IRFR420
- Vishay N-Kanal 2.4 A 500 V Forbedring IPAK, IRFU420
- Vishay N-Kanal 3 A 500 V Forbedring TO-252, D Series
- STMicroelectronics N-Kanal 2.4 A 600 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- Vishay N-Kanal 3.1 A 400 V Forbedring TO-252, IRFR320
- Vishay N-Kanal 2.6 A 200 V Forbedring TO-252, IRFR
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 100 V Forbedring TO-252, STP
- Infineon N-Kanal 2.4 A 600 V Forbedring TO-252, CoolMOS C6
