onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, UniFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 483,50

(ekskl. moms)

Kr. 604,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 9,67Kr. 483,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-5357
Producentens varenummer:
FDP75N08A
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

75A

Drain source spænding maks. Vds

75V

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Serie

UniFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

11mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

137W

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.4mm

Længde

10.67mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY

UniFET™ N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


UniFET™ MOSFET er Fairchild Semiconductors højspændings MOSFET-serie. Den har den mindste modstand i ledetilstand blandt planare MOSFET'er og har også fremragende skifteevne og højere avalanche-energistyrke. Desuden muliggør indvendig gate-source ESD-diode, at UniFET-II™ MOSFET kan modstå over 2000 V HBM stødstrømbelastning.

UniFET™ MOSFET er velegnet til skiftestrømkonvertere som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC), fladskærm (FPD) TV effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) og elektroniske lampeforkoblinger.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links