onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, UniFET

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder

Alternativ

Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.

presentation
Vishay N-Kanal, MOSFET-transistor, 75 A 60 V, 3 ben, TO-220AB SUP75N06-08-E3
RS-varenummer
708-5162

(Leveres i pakke af 5)

Kr. 17,482

(ekskl. moms)

Kr. 21,852

(inkl. moms)

RS-varenummer:
671-4862
Producentens varenummer:
FDP75N08A
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

75A

Drain source spænding maks. Vds

75V

Serie

UniFET

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

11mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

137W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.4mm

Længde

10.67mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY

UniFET™ N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


UniFET™ MOSFET er Fairchild Semiconductors højspændings MOSFET-serie. Den har den mindste modstand i ledetilstand blandt planare MOSFET'er og har også fremragende skifteevne og højere avalanche-energistyrke. Desuden muliggør indvendig gate-source ESD-diode, at UniFET-II™ MOSFET kan modstå over 2000 V HBM stødstrømbelastning.

UniFET™ MOSFET er velegnet til skiftestrømkonvertere som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC), fladskærm (FPD) TV effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) og elektroniske lampeforkoblinger.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links