Infineon N-Kanal, MOSFET, 62 A 100 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRFB4510PBF
- RS-varenummer:
- 145-8641
- Producentens varenummer:
- IRFB4510PBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 506,95
(ekskl. moms)
Kr. 633,70
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 10,139 | Kr. 506,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 145-8641
- Producentens varenummer:
- IRFB4510PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 62 A | |
| Drain source spænding maks. | 100 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapslingstype | TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 13,5 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V | |
| Effektafsættelse maks. | 140 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Længde | 10.67mm | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Transistormateriale | Si | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 58 nC ved 10 V | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Højde | 9.02mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 62 A | ||
Drain source spænding maks. 100 V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapslingstype TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 13,5 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4V | ||
Mindste tærskelspænding for port 2V | ||
Effektafsættelse maks. 140 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Længde 10.67mm | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Bredde 4.83mm | ||
Transistormateriale Si | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 58 nC ved 10 V | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Højde 9.02mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 62 A 100 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 23 A 150 V TO-220AB, HEXFET IRFB23N15DPBF
- Infineon N-Kanal 160 A 60 V TO-220AB, HEXFET IRFB3306GPBF
- Infineon N-Kanal 44 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRFB38N20DPBF
- Infineon N-Kanal 170 A 75 V TO-220AB, HEXFET AUIRFB3207
- Infineon N-Kanal 75 A 75 V TO-220AB, HEXFET AUIRF2907Z
- Infineon N-Kanal 31 A 55 V TO-220AB, HEXFET AUIRFZ44N
- Infineon N-Kanal 104 A 150 V TO-220AB, HEXFET IRFB4115GPBF