Infineon N-Kanal, MOSFET, 44 A 200 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRFB38N20DPBF
- RS-varenummer:
- 145-8693
- Producentens varenummer:
- IRFB38N20DPBF
- Brand:
- Infineon
Udgået
- RS-varenummer:
- 145-8693
- Producentens varenummer:
- IRFB38N20DPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 44 A | |
| Drain source spænding maks. | 200 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapslingstype | TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 54 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 5V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 3V | |
| Effektafsættelse maks. | 320 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Længde | 10.54mm | |
| Transistormateriale | Si | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 60 nC ved 10 V | |
| Bredde | 4.69mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Højde | 19.3mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 44 A | ||
Drain source spænding maks. 200 V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapslingstype TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 54 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 5V | ||
Mindste tærskelspænding for port 3V | ||
Effektafsættelse maks. 320 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V | ||
Længde 10.54mm | ||
Transistormateriale Si | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 60 nC ved 10 V | ||
Bredde 4.69mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Højde 19.3mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 43A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 300W maksimal effektafledning - IRFB38N20DPBF
Denne MOSFET er designet til høj effektivitet og effektiv varmestyring i forskellige applikationer. Det robuste N-kanal-design i enhancement mode giver mulighed for betydelige kontinuerlige drain-strømme og sikrer samtidig lav on-resistance. Denne komponent er velegnet til strømstyringsløsninger, der forbedrer ydeevnen og pålideligheden i mange elektroniske miljøer.
Egenskaber og fordele
• Understøtter en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 43A
• Giver en lav Rds(on) på 54mΩ for at minimere energitab
• Kan modstå drain-source-spændinger på op til 200 V
• Høj driftstemperaturtolerance fra -55 °C til +175 °C
• Designet til højhastigheds-switching-applikationer med lav gate-ladning
• Integreres effektivt i DC-DC-konvertere og strømforsyninger
Anvendelsesområder
• Anvendes i højfrekvente DC-DC-konvertere til effektiv strømstyring
• Velegnet til i plasmaskærmpaneler
• Anvendes i industrielle automatiseringssystemer, der kræver konsekvent omskiftning
• Bruges i strømforsyninger, hvor termisk effektivitet er afgørende
• Ideel til elektroniske designs med behov for høj ydeevne ved høje temperaturer
Hvilken slags strøm kan den klare i applikationer med høje temperaturer?
Den kan håndtere op til 30 A kontinuerlig strøm ved 100 °C, hvilket sikrer en ensartet ydelse under høje temperaturer.
Hvordan fungerer denne komponent i højfrekvente applikationer?
Den er eksplicit designet til højhastighedsskift med lav gate-ladning og minimale forsinkelsestider, hvilket gør den velegnet til sådanne anvendelser.
Hvilke emballagemuligheder findes der for dette produkt?
Den fås i en TO-220AB-pakke, som gør det muligt at montere den gennem et hul, så den nemt kan integreres i elektroniske kredsløb.
Kan den bruges sammen med andre strømstyringsenheder?
Ja, den bruges ofte sammen med forskellige DC-DC-konvertere til at forbedre effektiviteten i strømforsyningssystemer.
Hvilke foranstaltninger skal der træffes i forbindelse med installationen?
Sørg for korrekt varmestyring, herunder køleplader, for at opretholde optimale overgangstemperaturer under drift.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 43 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRFB38N20DPBF
- Infineon N-Kanal 25 A 200 V HEXFET IRFB4620PBF
- Infineon N-Kanal 18 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRF640NPBF
- Infineon N-Kanal 18 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRFB4020PBF
- Infineon N-Kanal 65 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRFB4227PBF
- Infineon N-Kanal 56 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRFB260NPBF
- Infineon N-Kanal 9 3 ben HEXFET IRF630NPBF
- Infineon N-Kanal 25 A 200 V TO-220AB, HEXFET IRFB5620PBF
