Infineon N-Kanal, MOSFET, 7 A 30 V, 8 ben, SO-8, IRF9410 IRF9410TRPBF

Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

Femte generations HEXFET'er udnytter avancerede behandlingsteknikker for at opnå ekstremt lav modstand ved tændt pr. siliciumareal. Denne fordel kombineret med den hurtigt skiftende hastighed og forstærket enhedsdesign, som HEXFET Power MOSFET'er er kendt for, giver designere en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en bred vifte af anvendelser. SO-8 er modificeret via en tilpasset ledningsramme for øgede termiske egenskaber, og den flerfarvede egenskab, hvilket gør den velegnet til en bred vifte af effektanvendelser. Med disse forbedringer kan flere enheder bruges i anvendelser med dramatisk reduceret kortplads. Huset er konstrueret til dampfase, infrarød teknik eller bølgelodningsteknik.

Lav RDS (tændt)
Brancheførende kvalitet
Dynamisk dv/dt-område
Hurtigt skift
175 °C driftstemperatur

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.