onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 4 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101

Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
RS-varenummer:
163-1128
Producentens varenummer:
NTMD4N03R2G
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

80mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Min. driftstemperatur

150°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8nC

Gennemgangsspænding Vf

0.82V

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

-55°C

Bredde

4 mm

Højde

1.5mm

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
PH

Dobbelt N-kanal MOSFET, ON Semiconductor


MOSFET-transistorer, ON Semiconductor


Relaterede links

Recently viewed