onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 4 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 780-0674
- Producentens varenummer:
- NTMD4N03R2G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 37,04
(ekskl. moms)
Kr. 46,30
(inkl. moms)
Tilføj 160 enheder for at opnå gratis levering
Begrænset lager
- Plus 2.490 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 3,704 | Kr. 37,04 |
| 100 - 240 | Kr. 3,195 | Kr. 31,95 |
| 250 - 490 | Kr. 2,77 | Kr. 27,70 |
| 500 - 990 | Kr. 2,435 | Kr. 24,35 |
| 1000 + | Kr. 2,214 | Kr. 22,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 780-0674
- Producentens varenummer:
- NTMD4N03R2G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 80mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bredde | 4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 80mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 5mm | ||
Bredde 4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt N-kanal MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 4 A 30 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 3.5 A 60 V Forbedring SOIC
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 7 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Type N Effekt MOSFET 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 7.6 A 20 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 4.4 A 60 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 4.1 A 60 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 6.6 A 60 V Forbedring SOIC AEC-Q101