Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 165-5890
- Producentens varenummer:
- IRF3205STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 3.734,40
(ekskl. moms)
Kr. 4.668,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 800 enhed(er) afsendes fra 17. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | Kr. 4,668 | Kr. 3.734,40 |
| 1600 + | Kr. 4,434 | Kr. 3.547,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-5890
- Producentens varenummer:
- IRF3205STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 146nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 146nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET 55 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 210 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 55 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 86 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101