Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej

RS-varenummer:: 165-5922
Producentens varenummer:: IRLR3105TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 6.774,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.468,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 - 2000	Kr. 3,387	Kr. 6.774,00
4000 +	Kr. 3,218	Kr. 6.436,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-5922
Producentens varenummer:: IRLR3105TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	25A
	Drain source spænding maks. Vds	55V
	Emballagetype	TO-252
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	43mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	16 V
	Effektafsættelse maks. Pd	57W
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	20nC
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	6.22 mm
	Længde	6.73mm
	Højde	2.39mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A
	Drain source spænding maks. Vds 55V
	Emballagetype TO-252
	Serie HEXFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 43mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 16 V
	Effektafsættelse maks. Pd 57W
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 6.22 mm
	Længde 6.73mm
	Højde 2.39mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 25A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 57W maksimal effektafledning - IRLR3105TRPBF

Denne MOSFET er beregnet til højtydende applikationer, hvor styring af elektrisk effekt er afgørende. Den giver effektiv switching og effektiv termisk styring og fungerer inden for et bredt temperaturområde, hvilket gør den til et fordelagtigt valg for fagfolk inden for automatisering, elektronik og elektriske sektorer.

Egenskaber og fordele

• Forbedrer effektiviteten med lav Rds(on) for reduceret strømtab

• Understøtter en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 25A

• Tillader dobbelte gate-source-spændingsniveauer for øget fleksibilitet

• Opretholder termisk stabilitet med en maksimal driftstemperatur på +175 °C

• Kompakt DPAK TO-252-pakke sikrer nem overflademontering

• Designet til hurtige skiftehastigheder for forbedret ydeevne

Anvendelsesområder

• Styrer motordrev i automatiseringssystemer

• Anvendes i strømstyringskredsløb til energieffektivitet

• Integreret i DC-DC-konvertere til elektroniske enheder

• Velegnet til industrielt udstyr, der kræver høj pålidelighed

• Anvendes i batteristyringssystemer for optimal drift

Hvad er driftstemperaturområdet?

Driftstemperaturområdet er -55 °C til +175 °C, hvilket giver alsidighed i forskellige miljøer.

Hvordan håndterer den skiftehastighed?

Den er bygget til at skifte hurtigt, hvilket sikrer høj ydeevne i applikationer, der kræver hurtige on-off-cyklusser.

Hvilken type montering understøtter den?

Denne enhed er designet til overflademontering ved hjælp af dampfase-, infrarød- eller bølgelodningsteknikker.

Kan det bruges i højspændingsapplikationer?

Ja, den arbejder med en maksimal drain-source-spænding på 55 V, hvilket gør den velegnet til højspændingskredsløb.

Hvilke overvejelser bør man gøre sig i forhold til strømforbruget?

Strømspredningen kan nå op på 57 W med en deratingfaktor på 0,38 W/°C for at sikre sikker drift under forskellige termiske forhold.