Vishay N-Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252
- RS-varenummer:
- 165-6284
- Producentens varenummer:
- SUD50N04-8M8P-4GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 165-6284
- Producentens varenummer:
- SUD50N04-8M8P-4GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0088Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 48.1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 810mV | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Højde | 2.38mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0088Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 48.1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 810mV | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.22mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Højde 2.38mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252
- Vishay N-Kanal 1.7 A 400 V Forbedring TO-252
- Vishay N-Kanal 4.3 A 100 V Forbedring TO-252, IRFR
- Vishay N-Kanal 7.7 A 60 V Forbedring TO-252, IRFR
- Vishay N-Kanal 4.8 A 200 V Forbedring TO-252, IRFR
- Vishay N-Kanal 7.7 A 60 V Forbedring TO-252, IRLR
- Vishay N-Kanal 6.4 A 650 V Forbedring TO-252, E
- Vishay N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-252, E