Vishay N-Kanal, MOSFET, 7.7 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IRLR
- RS-varenummer:
- 813-0718
- Producentens varenummer:
- IRLR014TRPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 86,99
(ekskl. moms)
Kr. 108,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 8,699 | Kr. 86,99 |
| 100 - 240 | Kr. 8,265 | Kr. 82,65 |
| 250 - 490 | Kr. 6,956 | Kr. 69,56 |
| 500 - 990 | Kr. 6,538 | Kr. 65,38 |
| 1000 + | Kr. 6,074 | Kr. 60,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 813-0718
- Producentens varenummer:
- IRLR014TRPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | IRLR | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -10V, +10V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 25W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Højde | 2.38mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie IRLR | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -10V, +10V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 25W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 6.22mm | ||
Højde 2.38mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
N-kanal MOSFET, 60 V til 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 7.7 A 60 V Forbedring TO-252, IRLR
- Vishay N-Kanal 7.7 A 60 V Forbedring TO-252, IRFR
- Vishay N-Kanal 7.7 A 60 V TO-252
- Infineon N-Kanal 7.7 A 30 V N TO-252
- Vishay N-Kanal 7.7 A 100 V TO-252
- Vishay N-Kanal 7.7 A 60 V Forbedring IPAK, IRLU
- onsemi N-Kanal 20 A 60 V Forbedring TO-252
- Infineon N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET