Infineon N-Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Forbedring, TO-252, HEXFET

Denne MOSFET er en effekttransistor med gennemgående hul, der er designet til koblings- og strømstyringsroller i kredsløb, der kræver høj strømstyrke og høj temperaturbestandighed. Den fungerer som en N-kanalforbedringsenhed, der er klassificeret til mellemspændingsanvendelser, og den er beregnet til installationer, hvor et TO-252-pakke og enkel printmontering foretrækkes.

• 16 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under høj strømgennemstrømning
• 100 V Vds understøtter mellemspændingsswitching-applikationer
• 63 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør vedvarende drift med kraftig belastning
• Temperaturområde fra -55 °C til +175 °C muliggør anvendelse ved høje temperaturer
• 1,3 V fremadgående gate-spænding muliggør effektiv gate-drive-ydeevne

• Velegnet til DC-strømkonverteringsfaser i industrielt udstyr
• Ideel til omskiftning af motordrev i kompakte enheder
• Anvendes sammen med strømforsyninger, der kræver høj strømgennemstrømning
• Kan bruges til batteristyring i systemer med høj belastning
• Velegnet til test af varmebelastning af armaturer og anlæg

Den leveres i en TO-252-pakke, der er konfigureret til montering gennem hul, hvilket letter mekanisk stabilitet og varmeafledning.

Den fungerer som en N-kanal-transistor med forbedringstilstand, der kræver et positivt gate-til-kilde-drev til ledning.

Enheden er specificeret til drift over et område på -55 °C til +175 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med betydelige termiske variationer.

Delen er ikke udpeget til bilstandarder og bør ikke antages at opfylde disse specifikke kvalifikationskriterier.