Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej IRFR4510TRPBF
- RS-varenummer:
- 915-5011
- Producentens varenummer:
- IRFR4510TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 98,00
(ekskl. moms)
Kr. 122,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- 40 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 7.080 enhed(er) afsendes fra 06. januar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 9,80 | Kr. 98,00 |
| 50 - 90 | Kr. 7,839 | Kr. 78,39 |
| 100 - 240 | Kr. 7,263 | Kr. 72,63 |
| 250 - 490 | Kr. 6,762 | Kr. 67,62 |
| 500 + | Kr. 6,276 | Kr. 62,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 915-5011
- Producentens varenummer:
- IRFR4510TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 63A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 54nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 143W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bredde | 7.49 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Distrelec Product Id | 304-44-463 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 63A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 54nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 143W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Bredde 7.49 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Distrelec Product Id 304-44-463 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET 100 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 63 A 100 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR4510TRPBF
- Infineon N-Kanal 63 A 100 V DPAK (TO-252), HEXFET IRLR3110ZTRLPBF
- Infineon N-Kanal 43 A 60 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR3806TRL
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRLR024NTRPBF
- Infineon N-Kanal 9 3 ben HEXFET IRFR120NTRLPBF
- Infineon N-Kanal 11 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR9024NTRL
- Infineon N-Kanal 31 A 100 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR3410TRLPBF
- Infineon N-Kanal 56 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR2405TRPBF