STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, STripFET V
- RS-varenummer:
- 165-6538
- Producentens varenummer:
- STR2N2VH5
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 6.399,00
(ekskl. moms)
Kr. 7.998,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 2,133 | Kr. 6.399,00 |
| 6000 - 6000 | Kr. 1,89 | Kr. 5.670,00 |
| 9000 - 21000 | Kr. 1,828 | Kr. 5.484,00 |
| 24000 + | Kr. 1,764 | Kr. 5.292,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-6538
- Producentens varenummer:
- STR2N2VH5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | STripFET V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 40mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 350mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie STripFET V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 40mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 350mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.04mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal STripFET™ V, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.3 A 20 V Forbedring SOT-23, STripFET V
- STMicroelectronics Type P-Kanal 2 A 30 V Forbedring SOT-23, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 23 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.4 A 100 V Forbedring SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 60 V Forbedring SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6.5 A 30 V Forbedring SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Type P-Kanal 3 A 60 V Forbedring SOT-223, STripFET
- Infineon Type P-Kanal 2.3 A 30 V Forbedring SOT-23, HEXFET