Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 28 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SiS892ADN
- RS-varenummer:
- 165-6981
- Producentens varenummer:
- SIS892ADN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 165-6981
- Producentens varenummer:
- SIS892ADN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 28A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | SiS892ADN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.033Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.1nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 28A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 | ||
Serie SiS892ADN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.033Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.1nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.4mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 28 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212-8, SiS892ADN
- Vishay 2 N-Kanal Fælles skærm 60 A 25 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 N-Kanal Fælles skærm 52 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay N-Kanal 8.8 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212-8, SIS
- Vishay Type P-Kanal 5.7 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8
- Vishay N-Kanal 185.6 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 33.8 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212-8S
- Vishay N-Kanal 65 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET