Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 28 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SiS892ADN

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 24,20

(ekskl. moms)

Kr. 30,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.170 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 2,42Kr. 24,20

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9399
Producentens varenummer:
SIS892ADN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

28A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK 1212-8

Serie

SiS892ADN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.033Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Effektafsættelse maks. Pd

52W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.1nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

1.12mm

Længde

3.4mm

Bredde

3.4mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.