Infineon N-Kanal, MOSFET, 24 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

RS-varenummer:: 165-8030
Producentens varenummer:: IRFR4620TRLPBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 24 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*

Kr. 15.738,00

(ekskl. moms)

Kr. 19.674,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 14. maj 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 5,246	Kr. 15.738,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-8030
Producentens varenummer:: IRFR4620TRLPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	24A
	Drain source spænding maks. Vds	200V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	78mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	144W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	25nC
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	6.73mm
	Bredde	7.49mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	2.39mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A
	Drain source spænding maks. Vds 200V
	Serie HEXFET
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 78mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 144W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 6.73mm
	Bredde 7.49mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 2.39mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET seriens MOSFET, 200 V maksimal drain source-spænding, 24 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFR4620TRLPBF

Denne n-kanals forstærkningstilstand MOSFET er en overflademonteret effekttransistor, der er designet til skifte- og strømkonverteringsroller i elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde, hvilket gør den velegnet til krævende termiske miljøer, og den giver højspændingskontaktkapacitet til anvendelser, der kræver robust drain-source-ydeevne.

Egenskaber og fordele:

• 200 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsevne
• 24 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 78 mΩ Rds(on) giver lave ledningstab
• 25 nC typisk portladning muliggør hurtig portskiftning
• 144 W maks. effekttab håndterer betydelig termisk belastning

Anvendelser

• Velegnet til højspændings DC-DC-konvertere i strømforsyninger
• Ideel til skiftefaser til motordrev i industrielle systemer
• Anvendes sammen med batteristyringskredsløb, der kræver 200 V tolerance
• Kan bruges til synkron ensretning i strømmoduler

Hvilke hensyn til gate-driver kræves der for hurtig omskiftning?

Brug en driver, der kan forsyne og sænke strøm til at oplade porten inden for det typiske 25 nC samlede portopladningsbudget for at balancere skiftehastighed og minimere overgangstab.

Hvordan påvirker termisk styring kontinuerlig drift ved høje strømme?

For at opretholde 24 A kontinuerlig strøm og op til 144 W tab skal du sikre et tilstrækkeligt kobberareal på printkortet eller varmeafledning og opretholde forbindelsestemperaturer inden for det angivne driftsområde.

Hvad er grænserne for gate- og drain-spændinger for at undgå skader?

Hold gate-til-kilde-spændingen inden for ±20 V, og sørg for, at drain-til-kilde aldrig overstiger den maksimale mærkeværdi på 200 V under alle driftsforhold.

Hvordan opfører enheden sig i kolde og varme miljøer?

Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 175 °C, så designmargener bør tage hensyn til parameterskift som f.eks. variation i modstand ved tænding over dette temperaturområde.