DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, DMN10H099SK3 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 165-8397
- Producentens varenummer:
- DMN10H099SK3-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 4.502,50
(ekskl. moms)
Kr. 5.627,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 1,801 | Kr. 4.502,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-8397
- Producentens varenummer:
- DMN10H099SK3-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | DMN10H099SK3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 99mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.77V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25.2nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 34W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.7 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.2mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie DMN10H099SK3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 99mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.77V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25.2nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 34W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.7 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.2mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 100 V til 950 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring TO-252, DMN10H099SK3 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 17 A 30 V Forbedring TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 17.6 A 40 V Forbedring TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 59 A 100 V Forbedring TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 38 A 30 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 39 A 40 V Forbedring TO-252, DMN4010LK3 AEC-Q101
