IXYS N-Kanal, MOSFET, 10 A 800 V, 3 ben, TO-220, HiperFET, Polar IXFP10N80P

Brand

IXYS

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

10 A

Drain source spænding maks.

800 V

Kapslingstype

TO-220

Serie

HiperFET, Polar

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

1,1 Ω

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

5.5V

Effektafsættelse maks.

300 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Gate-ladning ved Vgs typisk

40 nC ved 10 V

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Antal elementer per chip

1

Bredde

4.83mm

Længde

10.66mm

Transistormateriale

Si

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

9.15mm