IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, Trench

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 1.696,47

(ekskl. moms)

Kr. 2.120,58

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 21. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 56,549Kr. 1.696,47

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4583
Producentens varenummer:
IXTH110N25T
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

110A

Drain source spænding maks. Vds

250V

Serie

Trench

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

24mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

157nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

694W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

16.26mm

Højde

21.46mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal Trench-Gate Power MOSFET, IXYS


Trench Gate MOSFET teknologi

Lav modstand i ledetilstand RDS(on)

Fremragende modstandsdygtighed mod laviner

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.