IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, Trench

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 1.121,76

(ekskl. moms)

Kr. 1.402,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 30 enhed(er) afsendes fra 23. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 37,392Kr. 1.121,76

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4583
Producentens varenummer:
IXTH110N25T
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

110A

Drain source spænding maks. Vds

250V

Emballagetype

TO-247

Serie

Trench

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

24mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

694W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

157nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.3 mm

Højde

21.46mm

Længde

16.26mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal Trench-Gate Power MOSFET, IXYS


Trench Gate MOSFET teknologi

Lav modstand i ledetilstand RDS(on)

Fremragende modstandsdygtighed mod laviner

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links