IXYS N-Kanal, MOSFET, 110 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, Trench
- RS-varenummer:
- 168-4583
- Producentens varenummer:
- IXTH110N25T
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.696,47
(ekskl. moms)
Kr. 2.120,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 56,549 | Kr. 1.696,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-4583
- Producentens varenummer:
- IXTH110N25T
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | Trench | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 157nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 694W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 21.46mm | |
| Længde | 16.26mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie Trench | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 157nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 694W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 21.46mm | ||
Længde 16.26mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Trench-Gate Power MOSFET, IXYS
Trench Gate MOSFET teknologi
Lav modstand i ledetilstand RDS(on)
Fremragende modstandsdygtighed mod laviner
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS