IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, Trench

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 61,08

(ekskl. moms)

Kr. 76,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 41 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 61,08
5 - 9Kr. 56,19
10 - 24Kr. 52,83
25 - 49Kr. 45,63
50 +Kr. 43,61

*Vejledende pris

RS-varenummer:
125-8047
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-421
Producentens varenummer:
IXTH110N25T
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

110A

Drain source spænding maks. Vds

250V

Serie

Trench

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

24mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

157nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

694W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

21.46mm

Længde

16.26mm

Bredde

5.3 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal Trench-Gate Power MOSFET, IXYS


Trench Gate MOSFET teknologi

Lav modstand i ledetilstand RDS(on)

Fremragende modstandsdygtighed mod laviner

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links