IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 360 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, GigaMOS Trench HiperFET
- RS-varenummer:
- 168-4577
- Producentens varenummer:
- IXFN360N10T
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 rør af 10 enheder)*
Kr. 2.027,83
(ekskl. moms)
Kr. 2.534,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 840 enhed(er) afsendes fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 202,783 | Kr. 2.027,83 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-4577
- Producentens varenummer:
- IXFN360N10T
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 360A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | GigaMOS Trench HiperFET | |
| Emballagetype | SOT-227 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 525nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 830W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.6mm | |
| Længde | 38.23mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 360A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie GigaMOS Trench HiperFET | ||
Emballagetype SOT-227 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 525nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 830W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.6mm | ||
Længde 38.23mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ serien
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 360 A 100 V Forbedring SOT-227, GigaMOS Trench HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 420 A 100 V Forbedring SOT-227, GigaMOS Trench HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 310 A 150 V Forbedring SOT-227, GigaMOS TrenchT2 HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 500 A 75 V Forbedring SMPD HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 600 A 40 V Forbedring SMPD HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 550 A 55 V Forbedring SMPD HiperFET
- IXYS 1 Type N-Kanal Enkelt 132 A 250 V Forbedring SMPD HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 24 A 1 kV Forbedring SOT-227, HiperFET