IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 360 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, GigaMOS Trench HiperFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 2.027,83

(ekskl. moms)

Kr. 2.534,79

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 202,783Kr. 2.027,83

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4577
Producentens varenummer:
IXFN360N10T
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

360A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

GigaMOS Trench HiperFET

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

2.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

830W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

525nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

38.23mm

Bredde

25.07 mm

Højde

9.6mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ serien


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links