IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 360 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, GigaMOS Trench HiperFET Nej IXFN360N10T

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 230,13

(ekskl. moms)

Kr. 287,66

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
  • Plus 24 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 230,13
2 - 4Kr. 207,42
5 - 9Kr. 197,85
10 - 19Kr. 191,04
20 +Kr. 187,30

*Vejledende pris

RS-varenummer:
125-8041
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-370
Producentens varenummer:
IXFN360N10T
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

360A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-227

Serie

GigaMOS Trench HiperFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

2.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

525nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

830W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

25.07 mm

Længde

38.23mm

Højde

9.6mm

Distrelec Product Id

30253370

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ serien


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links